集成电路浅槽隔离STI漏电产生的原因？
浅槽隔离工艺sti是什么
氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料。掩膜，浅槽隔离 STI槽刻蚀。
STI浅沟槽隔离工艺中空洞缺陷对芯片的危害?微电子,集成...
sti 是mos工艺中的一个技术。有空洞的话，c-v曲线必然要漂移，使得阈值电压会变化，从而芯片性能会变差。
为什么说 3nm 是现在芯片制程的天花板?
此外，SF2相比于FinFET器件的可靠性提升或器件全局偏差降低了26%，漏电降低约50%。需要注意，这些数字的对比对象是SF3之前的4nm工艺。Intel的4...
中芯国际的设备工程师跟拓荆科技的工艺工程师,选择...
都是厂gou有啥好去的，不如转码转IC