晶体管 饱和区
三极管的饱和区为什么叫饱和区?
三极管的饱和区之所以被称为饱和区，是因为在这个状态下，三极管中的NPN或PNP晶体管中的两个PN结都处于饱和状态。在饱和状态下，电流已经尽可能大地...
mos管放大区和饱和区的区别
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，其中包括放大区和饱和区两个工作状态。放大区（Triode Region）是指MOS管工作时的低电压状态，此时栅极与源...
晶体三极管工作在饱和区的工作条件是
三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而...
晶体三极管的饱和区ic是怎么来的?
首先，我们要明白管子各个区的特点：发射区高掺杂，基区窄，集电区大。我们先考虑管子工作在正向有源区，此时BE结正偏，BC结反偏。BE结将E...
什么是IGBT的饱和区? – 手机爱问
IGBT饱和区定义 IGBT(绝缘栅双极晶体管)的饱和区是指在该区域内,IGBT的CE(集电极-发射极)间电压超过门槛电压后,电流开始流动,随着集电极电流的增加,CE间电压线性上升到一定值并趋于稳...
判断NMOS,PMOS管处于饱和区,截止区,三极管区 - 百度经验
2.当 Vds<Vgs-Vt 时，NMOS管处于三极管区。这时NMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。3.当Vds>Vgs-Vt 时，NMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们...
晶体管的输出特性曲线分为哪三个区
1、截止区：指晶体管输出特性曲线中晶体管输入电流为0所对应曲线下方的区域。2、放大区：指晶体管输出特性曲线中每条曲线近似水平部分的集合所对应的区域。3、饱和区：指...
晶体管工作在饱和区的条件是
晶体管工作在饱和区的条件是发射结偏置，集电结偏置。根据查询相关公开信息显示，发射结正向偏置，集电结反向偏置，晶体管工作在饱和区时，发射结正偏置、集电结正偏置，...
晶体管的饱和区和截止区指什么啊?
晶体管在饱和区里，bc结和be结都正偏，不能用于放大，可作为开关用 晶体管在截止区里，be结处于反偏，此时晶体管不能工作，可作为开路的开关用 ...
晶体管饱和区电流公式
具体公式为 Ic=(Vc-0.3)/(Rc-Re) 其中Vc为电源电压，0.3为晶体管饱和压降（按硅管计算），Rc为电源和集电极之间的电阻，Re为发射极和地之间的电阻。晶体三极管工作...