晶体管 饱和区
判断NMOS,PMOS管处于饱和区,截止区,三极管区 - 百度经验
2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于饱和区。如果不...
三极管饱和失真是什么现象?
三极管放大电路中，静态工作点设置过低将会产生截止失真，工作点设置过高会产生饱和失真。晶体管的静态工作点设置较低时，由于输入信号的叠加有可能...
三极管饱和区时Uces和Uce的区别
首先，Uces特指晶体管在饱和状态下的表现，这时三极管处于低电压、大电流（即开态）的工作状态，其发射结和集电结均正偏，使得电流输出稳定，主要受外部电路参数影响。相比...
晶体三极管的饱和区ic是怎么来的?
一个NPN晶体管，书上说Ube>Uce的时候饱和，那么这时候C电压最高，那么就有一个从B到C的电场，那这时候电子是怎么到C，让ic形成的 [图片]...
三极管的饱和区为什么叫饱和区?
三极管的饱和区之所以被称为饱和区，是因为在这个状态下，三极管中的NPN或PNP晶体管中的两个PN结都处于饱和状态。在饱和状态下，电流已经尽可能大地...
怎么根据数据判断三极管放大电路是工作在饱和区还是...
晶体管放大电路正常时既不能工作在饱和区,也不能工作在截止区。至于放大的信号在动态变化时要判断晶体管是否会进入饱和区或截止区,需要用示波器观察波形。 静态情况下(即直流工作点的...
mos管放大区和饱和区的区别
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，其中包括放大区和饱和区两个工作状态。放大区（Triode Region）是指MOS管工作时的低电压状态，此时栅极与源...
求助:模电,求助模电,为什么ib>ibs是工作过在饱和区...
IB > IBS: 如果基极电流超过了使晶体管饱和所需的最小基极电流，那么晶体管将肯定处于饱和区。这是因为额外的基极电流不会导致更多的集电极电流，但会确保晶体管保持在...
如何真正理解三极管伏安特性曲线在饱和区的含义?
特性曲线位置： 放大区位于截止区和饱和区之间，是输入特性曲线的中间部分。工作状态： 在放大区，三极管工作在放大模式，不处于截止或饱和状态。功能...
真的了解三极管工作状态吗?
真的了解三极管工作状态吗？ 目录 收起 截止状态 2、放大状态 3、饱和状态 三极管的3种工作状态 关于三极管工作原理更详细的内容，欢迎阅读...