etddb
什么是TDDB?
在现代半导体器件中，可靠性是至关重要的。TDDB，即时间相关的电击穿（Time Dependent Breakdown），是影响MOS器件稳定性的关键因素，它分为瞬时击穿和经时击穿两大类。首先...
MOSFET Gate OX为什么对于器件性能影响那么关键?
此外，还介绍了用于评估Gate Oxide可靠性的两种关键测试方法：TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)和Vramp(Voltage ramp test)。2. Gate le...
什么是MOSFET的TDDB效应?
TDDB，即时间相关的电击穿，是影响MOS场效应晶体管（FET）稳定性的一个重要失效机制。它涉及电场长时间作用下，栅氧化层（GOX）中的缺陷导致的击穿现象。这种效应可以分为...
IGBT可靠性为什么需要验证HTGB - 呢?
TDDB（时间依赖介质击穿）：电场和温度协同作用导致栅氧层逐渐退化直至击穿。BTI（偏压温度不稳定性）：阈值电压漂移（PBTI/NBTI，...
EOS失效机理情况汇总 - 百度经验
6 栅氧击穿：在MOS器件及其集成电路中，栅氧化层缺陷会导致栅氧漏电，漏电增加到一定程度即构成击穿。7 与时间有关的介质击穿（TDDB）：施加的电场低于栅氧的本征击穿强度，但经历一定...
纳米集成电路制造工艺 - 第十五章( 集成电路可靠性介绍...
新材料和新工艺引入带来了新的可靠性问题，如低k介质导致的Vbd和TDDB寿命降低及CPI问题。集成电路尺寸缩小和集成度提高对可靠性测试带来挑战，包括ESD敏感性和集成度提高导致...
MTBF计算?
一般常见的寿命实验方法有BI（Burn-in）/EFR（Early Failure Rate）/HTOL（High Temperature Operating Life）/TDDB（Time dependent Dielectric ...
晶圆代工厂的可靠性部门简介
具体来说，工艺可靠性部门的主要任务包括执行工艺标准中的可靠性测试，如GOI Vramp&TDDB、IMD Vramp&TDDB、HCI、BTI（NBTI、PBTI）、PID、EM、SM等项目。大型的先进工艺...
芯片可靠性与失效分析工程师主要做什么?
3. 潜在失效：很难观察到。主要是指标下降、电学特性退化、寿命降低。典型的是介质的局部损伤（例如time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of...
月经前后七天是安全期吗?怀孕的概率大吗
么璇珠_TdDb 2009-09-06 16:04 是前7后8.没有绝对的,只能说怀孕几率不大。 麴舒扬_gwOB 2009-09-06 15:55 没有绝对的安全期,只是怀孕几率比排卵期小点而已。安全期的...