irlml

irlml2803，场效应管，N沟；20V；1.2A；0.54W；导通电阻0.25欧姆。如图：

IRLML6401 是IR公司生产的PMOS管，晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:- 12 VId-连续漏极电流:- 4.3 ARds On-漏源导通电阻:50 mO...

针对无人机系统的三大核心电路模块——电源管理、电机驱动与信号切换，合科泰电子提供了差异化的解决方案，具体包括AO3400、HKTG150N03和IRLML6344...

高频射频电路采用IRLML2402型器件（VGS(th)=0.7V，RDS(ON)=0.25Ω），其微型封装对焊接工艺极为敏感。10kV微焦斑X射线检测（分辨率3μm）...

在便携式设备中，当系统同时支持USB供电与电池供电，并通过电源切换电路自动选择供电源时，常出现电压倒灌问题。典型表现为：当USB插入时，电流反...

IRLML9301 P-Channel -30v, 3.6A 栅反向耐压:20v,导通电阻（RDS）： 0.103Ω IRLML9303 P-Channel -30v, 2.3A 栅反向耐压:20v,导通电阻（RDS）： 0.270...

其栅极开启电压（Vgs(th)）较低，例如IRLML2502的典型值为1.2V。实际驱动时，电压范围建议为3-5V，以确保可靠导通且兼顾能效。2. 中压功率MOS管耐压范围在100-500V...

早餐(Д)：紫薯燕麦粥（超容易糊锅der）首次尝试炒粉！难得没有翻车hhhh害挺香拿汤面炒粉就会炒的不够干———早餐套：玉米燕麦...

经选择采用IR公司的功率MOSFET器件——IRLML2803,它的漏源极击穿电压VDSS为30 V,直流电流ID为1.2 A,脉冲下最大输出电流为7.3 A,导通延时时间Td(on)为3.9 ns,关断时间Toff为9 ns...

对比IRLML6344（单N沟道，RDS(ON)更低）：AO6800以稍高的导通电阻（22mΩ vs. 10mΩ）换取双通道集成，降低系统BOM成本。对比AON7534（高...