pecvd
PERC、TOPcon、HJT的PECVD设备有什么区别?
PECVD设备主要由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统安全保护系统、计算机控制等部分组成。...
什么是PECVD技术?
PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应...
PECVD工作原理是什么?
利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).实验机理：辉光放电等离子体中：电子密度高(109~...
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是...
解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor depositio...
求助薄膜沉积PECVD问题
在PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）工艺中，硅烷（silane）通常与氮气（nitrogen）搭配使用，以制备硅基的保护膜。...
半导体芯片薄膜沉积中PECVD工艺的种类、设备结构及其...
**种类** 根据反应气体和沉积材料的不同，PECVD工艺可以分为多种类型，包括但不限于：1. 硅气相沉积...
PECVD 是什么
PECVD( plasma enhanced chemical vapor deposition )等离子体增强化学气相沉积 它是电池片生产过程中的一道工序，（电池片的生产工序...
PECVD沉积SiNx过程中Mo/Cu金属薄膜发生arcing,如何改善...
1. 调整沉积条件：可以适当降低PECVD沉积SiNx的沉积速率和气体压强，减少Mo/Cu金属薄膜表面的电荷密度。2. 改善金属薄膜表面形态：...
PECVD设备在镀膜层时需要的真空压力是多少,电极间距...
1. **真空压力**：PECVD过程通常在低压下进行，真空压力的具体值取决于要沉积的材料和设备的具体类型，...
PECVD沉积碳化硅是属于哪种晶体结构?
（1）定义为碳化硅(SiC)n ？（2）碳化硅属于原子晶体！（3）碳化硅高强度，高硬度！