IGBT

为什么MOSFET和IGBT特性不同?

IGBT的门极是MOSFET构成，所以是和MOSFET一样，是电压驱动型器件。射极由三极管构成，所以又具备三极管的电流放大特性以及电导调制效应，导致IGBT导通压降维持在比较低的水平。这是IGBT实物图：这是MOSFET实物图：MOSFET实物图可以看出来MOSFET在体积尺寸上明显小于IGBT，这也决定了它们是使用场景，一个是低功率

请问各位大佬,目前最新的IGBT开关频率最高能达到多少...

而且IGBT每个开关周期里还有占空比，比如说1kHz开关频率，50%占空比，那控制型号发出的方波从开通到关断的时间就是0.5毫秒。如下图。

MOSFET与IGBT之争:半导体器件的巅峰对决

IGBT：导通压降较高，不过在高电压、大电流条件下，其导通损耗相对较小。开关速度MOSFET：开关速度较快，能够在高频条件下工作，在开关电源、逆变器等高频应用中具有优势。I...

什么是IGBT?

IGBT的中文名是绝缘栅双极型晶体管，英文全称为Insulated Gate Bipolar Transistor。它是一种复合了双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应...

中国IGBT行业发展现状、主要产业政策、上下游产业链及发展...

中国IGBT行业发展现状IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，...

请问igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的...

IGBT芯片 IGBT器件 IGBT单管和IGBT模块区别 IGBT的作用 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管, 是由BJT(双极型三极管)和MOS...

逆变器IGBT容易烧毁的原因是什么?集中式和组串式内部...

基本秉承以上三点在不断思考，也是不断同认识的朋友、厂家交流，所以才有了个人的浅薄认知，分享出来供大家参考！一、IGBT 谈逆变器的问题，...

igbt芯片材料

IGBT芯片的主要材料是硅（Si）。以下是关于IGBT芯片材料的详细解释：硅材料的广泛应用：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片作为电力电子领域的核心...

比亚迪的IGBT真的很牛?

产能规模：比亚迪IGBT芯片晶圆产能已达5万片/月，2021年预计达10万片/月，年供应量可满足120万辆新能源车需求，相当于2019年新能源汽车销量总和。其...

半导体逆导型IGBT(RC - IGBT)的详解;

逆导型IGBT（reverse conducting IGBT，简称RC-IGBT）是一种将IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和二极管（Diode）集成在同一个芯片内的电力电子器件。这种集成...